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请问2007年诺贝尔物理学奖“巨磁电阻”相关知识

瑞典皇家科学院9日宣布，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。他们将分享1000万瑞典克朗（1美元约合7瑞典克朗）的奖金。

巨磁电阻（GMR）原理，见图一。巨磁电阻（GMR）效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同，因而导致的电阻值的变化。这种效应只有在纳米尺度的薄膜结构中才能观测出来。

巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的应用。随着技术的发展，当存储数据的磁区越来越小，存储数据密度越来越大，这对读写磁头提出更高的要求。

瑞典皇家科学院9日宣布，法国科学家阿尔贝费尔和德国科学家彼得格林贝格尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了巨磁电阻效应。

诺贝尔物理学奖2007年10月，科学界的最高盛典—瑞典皇家科学院颁发的诺贝尔奖揭晓了。本年度，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔因分别独立发现巨磁阻效应而共同获得2007年诺贝尔物理学奖。

巨磁电阻原理是什么?其与近期推出的SSD(固态硬盘)有无关系?

1、巨磁电阻是指对磁场变化比较敏感的一类材料的一种特性，在磁场变化过程中，材料的电阻变化率较大，这主要是用来制造硬盘的读写磁头。

2、巨磁电阻是指用微弱的磁性变化即能引磁性材料电阻值的急剧变化。

3、固态硬盘原理是一种主要以闪存作为永久性存储器的计算机存储设备，此处固态主要相对于以机械臂带动磁头转动实现读写操作的磁盘而言，NAND或者其他固态存储以电位高低或者相位状态的不同记录0和1。

4、固态硬盘的原理是，SSD固态硬盘就是把磁存储改为集成电路存储。磁存储需要扫描磁头的动作和旋转磁盘的配合。电路存储即固态存储靠的是电路的扫描和开关作用将信息读出和写入，不存在机械动作。

5、GMR 是 IBM 公司在 MR技术基础上研发成功的新一代磁头技术，它是最新的磁头技术，现在生产的硬盘全都应用了 GMR 磁头技术。

6、尔效应测磁场这个试验中有两个电流，工作电流指的是通入霍尔元件的电流，也就是产生螺线管中待测磁场的电流，和待测磁场成正比，是用来测磁场的。

什么是巨磁电阻效应(GMR)?效应产生的条件、机理及应用

巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。

巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率，在有外磁场作用时较之无外磁场作用时，存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。

巨磁电阻(GMR)效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr=其中(h)为在磁场h作用下材料的电阻率(0)指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。

巨磁电阻效应怎么测试转速

巨磁电阻（GMR）效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同，因而导致 的电阻值的变化。GMR是一个量子力学效应，它是在层状的磁性薄膜结构中观察到的。这 种结构由铁磁材料和非磁材料薄层交替叠合而成。

连接电路：首先需要将巨磁电阻连接到要测量的电路中。通常会使用导线将电路连接起来，确保连接稳固而不松动。加电流：接通电源，向巨磁电阻加上一定大小的电流，这将使其在磁场中发生变化。

你好，巨磁阻效应原理是强磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者（平行）称为纵磁场效应，后者（垂直）称为横磁场效应。

利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。

巨磁电阻效应是什么?

1、巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。

2、巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，缩写：GMR）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。

3、巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率，在有外磁场作用时较之无外磁场作用时，存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。

4、巨磁电阻(GMR)效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr=其中(h)为在磁场h作用下材料的电阻率(0)指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。

5、巨磁电阻（GMR）效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr=其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。

6、所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。

ss501A巨磁电阻如何使用?

因为使用这种磁头，磁致电阻的变化仅为1%～2%之间，读取数据要求一定的强度的磁场，且磁道密度不能太大，因此使用传统磁头的硬盘最大容量只能达到每平方英寸20兆位。

这个很容易理解啊，磁阻效应通俗的说是说电阻会在磁场的影响下发生变化，巨磁阻说白了就是在某些条件下电阻变化特别大。

巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向。

巨磁电阻的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于巨磁电阻效应实验报告、巨磁电阻的信息别忘了在本站进行查找喔。