最近，随着新处理器的发布，手机行业正变得越来越热门，而高通的 Snapdragon 系列一直处于竞争的前沿。Snapdragon 8 Gen 2 是高端智能手机的热门选择，但与苹果的 A 系列芯片相比，性能略逊一筹。不过，高通旨在通过即将发布的 Snapdragon 8 Gen 3 来填补这一差距，据传它将配备 Arm Cortex-X4 核心、独特的 1+5+2 核心配置以及 TSMC 的 N4P 工艺节点。

高通 Snapdragon 8 Gen 3 在 Geekbench 中超越了苹果 A16 Bionic。Geekbench 是一款流行的移动设备基准测试工具，最近泄露了 Snapdragon 8 Gen 3 的潜在得分。据称单核得分高达 1,930，而多核得分更高，达到了 6,236。这些数字远高于最初预期，之前的传言称单核得分为 1,800，多核得分为 6,500。将这些得分与当前的 Snapdragon 8 Gen 2 进行比较，后者平均单核得分为 1,491，多核得分为 5,164，显示出单核性能增加了 30%，多核性能增加了 20%。

Snapdragon 8 Gen 3 的主要优势之一是其 1+5+2 的核心配置。这种设置包括一个高性能核心、五个中等核心和两个效率核心，这是与其前辈 1+4+3 设置的变化。这种新的配置可以更好地管理电源。据说，该芯片比 Snapdragon 8 Gen 2 更节能，可提高 20% 的功率效率。此外，使用 TSMC 的 N4P 工艺节点也有助于芯片的效率。

尽管有着令人期待的谣言和泄漏的得分，但重要的是要对这些信息持怀疑态度。Snapdragon 8 Gen 3 仍处于工程样品阶段。工程师们可能正在推动芯片的极限，以确定其性能能力。最终产品的性能可能与泄漏的得分不完全相同，可能需要更慢的速度来管理热量。